參數(shù)資料
型號(hào)： BZW03C200
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
中文描述： 硅的Z -二極管和瞬態(tài)電壓抑制器
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： BZW03C200
1996 May 14
6
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZW03 series
Note
1.
Non-repetitive peak reverse current in accordance with “IEC 60-1, Section 8”(10/1000
μ
s pulse); see Fig.7.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer
≥
40
μ
m, see Fig.6.
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”
BZW03-C180
BZW03-C200
BZW03-C220
BZW03-C240
BZW03-C270
BZW03-C300
BZW03-C330
BZW03-C360
BZW03-C390
BZW03-C430
BZW03-C470
BZW03-C510
168
188
208
228
251
280
310
340
370
400
440
480
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
249
276
305
336
380
419
459
498
537
603
655
707
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.93
0.83
0.76
0.71
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
lead length = 10 mm
note 1
25
75
K/W
K/W
TYPE
NUMBER
REVERSE
BREAKDOWN
VOLTAGE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
CLAMPING
VOLTAGE
REVERSE
CURRENT at
STAND-OFF
VOLTAGE
V
(BR)R
(V)
at I
test
S
Z
(%/K) at I
test
I
test
(mA)
V
(CL)R
(V)
at I
RSM
(A)
note 1
I
R
(
μ
A)
at V
R
(V)
MIN.
MIN.
MAX.
MAX.
MAX.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZW03C51 Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZW03C20 Alkaline-Manganese Dioxide Battery; Voltage Rating:1.5V; Battery Size Code:AA; Battery Capacity:2450mAh; Battery Terminals:Pressure Contact
BZW03C9V1 Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZW03C180 Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZW03C22 Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZW03-C200 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes
BZW03C200-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C200-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C20-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C20-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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