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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZV58C200 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 中文描述： | 硅功率的Z -二極管（非平面技術(shù)） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | BZV58C200 |
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
218
28.02.2002
BZV58 C8V2 … BZV58 C200 (5 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flchendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
5 W
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
8.2…200 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
~ DO-201
Weight approx. – Gewicht ca.
1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation
Verlustleistung
T
A
= 25 C
P
tot
5.0 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
T
A
= 25 C
P
ZSM
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150 C
– 50…+175 C
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 25 K/W
1
)
Thermal resistance junction to lead
Wrmewiderstand Sperrschicht – Anschludraht
R
thL
< 8 K/W
Zener voltages see table on next page
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZV58C30 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| BZV58C51 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| BZV58C62 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| BZV58C75 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| BZV58C8.2 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZ-V60C | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| BZ-V60C-EUL | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| BZV61 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Silicon Power Zener Diode |
| BZV61-22 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Silicon Power Zener Diode |
| BZV61-27 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Silicon Power Zener Diode |
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