參數(shù)資料
型號(hào): BZT55C30
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: BZT55C30
TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
1
Rev. A1: 12.12.1994
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9373
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Junction ambient
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Forward voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZT55C18 1-of-8 Decoder 16-SOIC -40 to 85
BZT55C22 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZT55C24 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZT55C27 1-of-8 Decoder 16-SSOP/QSOP -40 to 85
BZT55C2V4 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZT55C30 L0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZT55C30 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 30V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
BZT55C30 L1G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
BZT55C30-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55C30-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel