參數(shù)資料
型號： BZT55B5V1GS18
廠商： VISHAY TELEFUNKEN
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： SOD-80, QUADROMELF-2
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 153K
代理商： BZT55B5V1GS18
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
1 (6)
www.vishay.com
Document Number 85601
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Low reverse current level
D Very high stability
D Low noise
D Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
96 12009
Order Instruction
Type
Ordering Code
Remarks
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS08
Tape and Reel (2.500 pcs)
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS18
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
RthJAx300K/W
PV
500
mW
Z–current
IZ
PV/VZ
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+175
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm
RthJA
500
K/W
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
IF=200mA
VF
1.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZT55B6V2GS18 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55B9V1GS18 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F16GS08 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F3V3GS18 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F5V6GS18 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZT55B5V1-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.1 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55B5V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.6 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55B5V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZT55B5V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 5.6V 2% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
BZT55B5V6 L1G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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