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參數(shù)資料
| 型號： | BZT03D9V1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管和瞬態(tài)電壓抑制器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BZT03D9V1 |
BZT03D...
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85600
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors
Features
Glass passivated junction
Hermetically sealed package
Clamping time in picoseconds
Applications
Medium power voltage regulators and
medium power transient suppression circuits
94 9539
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Test Conditions
l=10mm, T
L
=25 C
T
amb
=25 C
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
3.25
1.3
10
600
175
–65...+175
Unit
W
W
W
W
C
C
Repetitive peak reverse power dissipation
Non repetitive peak surge power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=100 s, T
j
=25 C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
l=10mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 25mm
Test Conditions
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
46
100
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.5A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
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