參數(shù)資料
型號: BZG04-9V1
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Transient voltage suppressor diodes
中文描述: 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大?。?/td> 31K
代理商: BZG04-9V1
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1996 Jun 10
1996 Sep 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BZG04 series
Transient voltage suppressor
diodes
handbook, halfpage
M3D168
相關PDF資料
PDF描述
BZG04 Transient voltage suppressor diodes(瞬變電壓抑制二極管)
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BZG04-110 Transient voltage suppressor diodes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZG04-9V1-HM3-08 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,BZG04-M 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 標準包裝:6,000
BZG04-9V1-HM3-18 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,BZG04-M 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 標準包裝:6,000
BZG04-9V1-M3-08 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:BZG04-M 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 標準包裝:6,000
BZG04-9V1-M3-18 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:BZG04-M 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 標準包裝:6,000
BZG04-9V1TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel