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參數(shù)資料
| 型號： | BZD27-C82 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Voltage regulator diodes |
| 中文描述： | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | BZD27-C82 |
1996 Jun 10
7
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZD27 series
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum total power dissipation as a
function of temperature.
Types BZD27-C3V6 to -C6V8
Solid line: tie-point temperature.
Dotted line: ambient temperature;
device mounted as shown in Fig.7.
handbook, halfpage
0
200
0
1
2
MBH454
Ptot
(W)
100
T (
°
C)
Fig.3
Maximum total power dissipation as a
function of temperature.
Types BZD27-C7V5 to -C510
Solid line: tie-point temperature.
Dotted line: ambient temperature;
device mounted as shown in Fig.7.
handbook, halfpage
0
200
0
1
2
MBH455
Ptot
(W)
100
T (
°
C)
T
j
= 25
°
C prior to surge.
See also Fig 5.
Fig.4
Maximum non-repetitive peak reverse
power dissipation as a function of pulse
duration (square pulse).
handbook, halfpage
10
2
10
10
2
10
3
4
10
1
1
tp (ms)
PZSM
(W)
10
MGD524
T
j
= 25
°
C prior to surge.
Fig.5
Maximum non-repetitive peak reverse
power dissipation as a function of nominal
working voltage.
handbook, halfpage
PZSM
(W)
0
3V9
4V7
6V8
300
100
0
200
MGD525
5V6
VZnom (V)
3V6
4V3
6V2
5V1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZD27-C8V2 | Voltage regulator diodes |
| BZD27-C91 | Voltage regulator diodes |
| BZD27SERIES | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
| BZD27-C10 | Voltage regulator diodes |
| BZD27-C100 | Voltage regulator diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZD27-C82A | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| BZD27C82P | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification |
| BZD27-C82P | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes |
| BZD27C82P M2G | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應(yīng)商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 |
| BZD27C82P MHG | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應(yīng)商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 |
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