參數(shù)資料
型號(hào)： BZD27-C360
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Voltage regulator diodes
中文描述： 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： BZD27-C360
1996 Jun 10
3
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZD27 series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Total series
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Per type when used as voltage regulator diodes
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
F
forward voltage
I
F
= 0.2 A; see Fig.6
1.2
V
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
REVERSE CURRENT
at REVERSE VOLTAGE
V
Z
(V) at I
Z
r
dif
(
) at I
Z
S
Z
(%/K) at I
Z
I
Z
(mA)
I
R
(
μ
A)
V
R
(V)
MIN.
NOM.
MAX.
TYP.
MAX.
MIN.
0.14
0.14
0.12
0.10
0.08
0.04
0.01
0.00
0.00
0.03
0.03
0.05
MAX.
0.04
0.04
0.02
0.00
0.02
0.04
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
MAX.
C3V6
C3V9
C4V3
C4V7
C5V1
C5V6
C6V2
C6V8
C7V5
C8V2
C9V1
C10
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
4
4
4
3
3
2
2
1
1
1
2
2
8
8
7
7
6
4
3
3
2
2
4
4
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
100
50
25
10
1
1
1
1
1
2
2
3
3
3
5
7.5
5
10
5
10
50
10
10
7
C11
10.4
11
11.6
4
7
0.05
0.10
50
4
8.2
C12
11.4
12
12.7
4
7
0.05
0.10
50
3
9.1
C13
12.4
13
14.1
5
10
0.05
0.10
50
2
10
C15
13.8
15
15.6
5
10
0.05
0.10
50
1
11
C16
15.3
16
17.1
6
15
0.06
0.11
25
1
12
C18
16.8
18
19.1
6
15
0.06
0.11
25
1
13
C20
18.8
20
21.2
6
15
0.06
0.11
25
1
15
C22
20.8
22
23.3
6
15
0.06
0.11
25
1
16
C24
22.8
24
25.6
7
15
0.06
0.11
25
1
18
C27
25.1
27
28.9
7
15
0.06
0.11
25
1
20
C30
28
30
32
8
15
0.06
0.11
25
1
22
C33
31
33
35
8
15
0.06
0.11
25
1
24
C36
34
36
38
21
40
0.06
0.11
10
1
27
C39
37
39
41
21
40
0.06
0.11
10
1
30
C43
40
43
46
24
45
0.07
0.12
10
1
33
C47
44
47
50
24
45
0.07
0.12
10
1
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