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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZD142W-68 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
| 中文描述： | 68 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | BZD142W-68 |
2001 Oct 10
3
Philips Semiconductors
Product specification
ZenBlock
TM
; zener with
integrated blocking diode
BZD142W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ZENER/TVS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
To complete the type number the suffix is added to the basic type number, e.g. BZD142W-68.
Non-repetitive peak reverse current in accordance with “IEC 60060-1, Section 8”(10/1000
μ
s pulse); see Fig.5.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS BLOCKING DIODE
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer
≥
40
μ
m, see Fig.4.
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”
TYPE
NUMBER
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
CLAMPING
VOLTAGE
REVERSECURRENT
at STAND-OFF
VOLTAGE
V
Z
(V) at I
test
S
Z
(%/K) at I
test
I
test
(mA)
V
(CL)R
(V)
at I
RSM
(A)
(2)
I
R
(
μ
A)
at V
R
(V)
MIN.
NOM.
MAX.
MIN.
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
MAX.
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
MAX.
106
139
224
250
277
MAX.
5
5
5
5
5
68
100
160
180
200
61
90
68
75
10
0.94
0.72
0.45
0.40
0.36
56
82
130
150
160
100
160
180
200
110
171
198
220
5
5
5
5
149
162
180
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)R
reverse avalanche breakdown
voltage
reverse current
I
R
= 0.1 mA
700
V
I
R
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0 V;
see Fig.3
15
5
100
μ
A
μ
A
pF
C
d
diode capacitance
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
30
150
K/W
K/W
note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZD142W-160 | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
| BZD142W-200 | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
| BZD142 | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
| BZD142-100 | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
| BZD142-110 | ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZD142W-68,115 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 MEDPWRRECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZD17C | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:0.8 Watts Voltage Regulator Diodes |
| BZD17C100P | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 0.8 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZD17C100P M2G | 功能描述:DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應(yīng)商器件封裝:Sub SMA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:7,500 |
| BZD17C100P MHG | 功能描述:DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應(yīng)商器件封裝:Sub SMA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
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