參數資料
型號： BZB784
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Voltage regulator double diodes
中文描述： 穩(wěn)壓雙二極管
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： BZB784
2001 Feb 27
2
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator double diodes
BZB784 series
FEATURES
Total power dissipation: max. 350 mW
Approx. 5% V
Z
tolerance
Working voltage range: nom. 2.4 to 15 V (E24 range).
APPLICATIONS
General regulation functions
ESD and surge protection.
DESCRIPTION
Low-power voltage regulator diodes in a small SOT323
(SC-70) package.
PINNING SOT323 (SC-70)
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
cathode
cathode
common anode
handbook, halfpage
Top view
2
1
3
MAM407
2
1
3
Fig.1 Simplified outline and symbol.
MARKING
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
BZB784-C2V4
BZB784-C2V7
BZB784-C3V0
BZB784-C3V3
BZB784-C3V6
91
92
93
94
95
BZB784-C3V9
BZB784-C4V3
BZB784-C4V7
BZB784-C5V1
BZB784-C5V6
96
97
98
99
9A
BZB784-C6V2
BZB784-C6V8
BZB784-C7V5
BZB784-C8V2
BZB784-C9V1
9B
9C
9D
9E
9F
BZB784-C10
BZB784-C11
BZB784-C12
BZB784-C13
BZB784-C15
9G
9H
9J
9K
9L
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
F
I
ZSM
continuous forward current
non-repetitive peak reverse current
see Table 1
200
mA
t
p
= 100
μ
s; square wave;
T
amb
= 25
°
C; prior to surge
T
amb
= 25
°
C; 2 diodes loaded
T
amb
= 25
°
C; 1 diode loaded
t
p
= 100
μ
s; square wave;
T
amb
= 25
°
C; prior to surge
P
tot
total power dissipation; note 1
350
180
40
mW
mW
W
P
ZSM
non-repetitive peak reverse
dissipation
storage temperature
junction temperature
T
stg
T
j
65
+150
150
°
C
°
C
相關PDF資料
PDF描述
BZB984 Voltage regulator double diodes
C0201C820J3GAC Surface Mount Ceramic Chip Capacitors - C0201 Series - C0G Dielectric
C0402C100C5GAC Ceramic Capacitor
C0402C101J5GAC Ceramic Capacitor
C0402C102K5RAC Ceramic Capacitor
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