參數(shù)資料
型號： BYW29G200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODES
中文描述： 高效快速恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： BYW29G200
BYW29/F/FP/G-200
4/7
0
1.E-03
10
20
30
40
50
60
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
IM(A)
I
M
t
δ
=0.5
Fig.5-2 :
Non repetitive surge peak forward cur-
rent versus overload duration (TO-220FPAC,
ISOWATT220AC).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=15°C:W
TO-220AC/D2PAK
TO-220FPAC
ISOWATT220AC
IF(av)(A)
Fig.6 :
Average current versus ambient tempera-
ture. (
δ
= 0.5)
10
100
1000
10
100
1000
dIF/dt(A/μs)
IF=8A
VR=100V
Tj=100°C
Qrr(nC)
Fig.8 :
Reverse recovery charges versus dI
F
/dt
(90%confidence).
10
100
1
10
100
1000
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
C(pF)
Fig.7 :
Junction capacitance versus reverse volt-
age applied (Typical values).
1
10
100
10
100
1000
dIF/dt(A/μs)
IF=8A
VR=100V
Tj=100°C
IRM(A)
Fig.9 :
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
25
50
75
100
125
150
Tj(°C)
IRM
QRR
IF=8A
VR=100V
Qrr; IRM[Tj] / Qrr; IRM[Tj=125°C]
Fig.10 :
Dynamic parameters versus junction tem-
perature.
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PDF描述
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BYW31-100 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor
BYW31-150 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS
BYW31-50 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS
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