參數(shù)資料
型號： BYW29F-100
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Rectifier diodes ultrafast(超快速整流二極管)
中文描述： 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, SOD-100, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 41K
代理商： BYW29F-100
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast
BYW29F series
ISOLATION
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
isol
Repetitive peak voltage from
both terminals to external
heatsink
C
isol
Capacitance from cathode to
external heatsink
CONDITIONS
R.H.
≤
65% ; clean and dustfree
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
1500
UNIT
V
f = 1 MHz
-
12
-
pF
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-hs
Thermal resistance junction to
mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
with heatsink compound
without heatsink compound
in free air
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
55
MAX.
5.5
7.2
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
V
F
Forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 8 A; T
j
= 150C
I
F
= 8 A
I
F
= 20 A
V
R
= V
RWM
; T
j
= 100 C
V
R
= V
RWM
MIN.
-
-
-
-
-
TYP.
0.80
0.92
1.1
0.3
2
MAX.
0.895
1.05
1.3
0.6
10
UNIT
V
V
V
mA
μ
A
I
R
Reverse current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
Q
s
Reverse recovery charge
t
rr
Reverse recovery time
CONDITIONS
I
F
= 2 A; V
R
≥
30 V; -dI
F
/dt = 20 A/
μ
s
I
= 1 A; V
≥
30 V;
-dI
/dt = 100 A/
μ
s
I
= 10 A; V
≥
30 V; T
j
= 100 C;
-dI
/dt = 50 A/
μ
s
I
F
= 1 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s
MIN.
-
-
TYP.
4
20
MAX.
11
25
UNIT
nC
ns
I
rrm
Peak reverse recovery current
-
1
2
A
V
fr
Forward recovery voltage
-
1
-
V
October 1994
2
Rev 1.100
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