參數(shù)資料
型號(hào)： BYW29200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
中文描述： 高效快速恢復(fù)整流二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： BYW29200
BYW29/F/FP/G-200
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100
120
140
160
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
P = 10W
P = 5W
P = 15W
T
δ
=tp/T
tp
IM
IM(A)
δ
Fig.2 :
Peak current versus form factor.
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=125°C
IFM(A)
Fig.3 :
Forward voltage drop versus forward cur-
rent (maximum values).
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Zth(j-c)/Rth(j-c)
Fig.4-1 :
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AC,
D
2
PAK).
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
IF(av)(A)
PF(av)(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
T
δ
=tp/T
tp
Fig.1 :
Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
1.E-03
10
20
30
40
50
60
70
80
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=120°C
IM(A)
I
M
t
δ
=0.5
Fig.5-1:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versus overload duration (TO-220AC, D
2
PAK).
0.0
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig.4-2 :
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(TO-220FPAC, ISOWATT220AC).
pulse
duration
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYW29F-200 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
BYW29-200 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
BYW29G200 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODES
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參數(shù)描述
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BYW29-200-E3/45 功能描述:整流器 8.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYW29-200G 功能描述:整流器 200V 8A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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