參數資料
型號： BYV42G-200
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
中文描述： 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數： 1/11頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： BYV42G-200
1.
Product profile
1.1 General description
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.
1.2 Features and benefits
High reverse voltage surge capability
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
Very low on-state loss
1.3 Applications
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
RRM
BYV42G-200
Dual ultrafast power diode
Rev. 01 — 11 January 2011
Product data sheet
IPK
Quick reference data
Parameter
repetitive peak reverse
voltage
average output current
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
200
Unit
V
I
O(AV)
square-wave pulse;
δ
= 0.5 ;
T
mb
≤
104 °C; both diodes
conducting; see
Figure 1
;
see
Figure 2
T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 10 ms;
sine-wave pulse; per diode
t
p
= 2 μs;
δ
= 0.001
-
-
30
A
I
FSM
non-repetitive peak
forward current
repetitive peak reverse
current
electrostatic discharge
voltage
-
-
160
A
I
RRM
-
-
0.2
A
V
ESD
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k
;
all pins
-
-
8
kV
Static characteristics
V
F
forward voltage
I
F
= 15 A; T
j
= 150 °C;
see
Figure 4
-
0.78
0.85
V
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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