參數(shù)資料
型號: BYV10SERIES
元件分類: 基準電壓源/電流源
英文描述: Very low drop voltage regulators with inhibit
中文描述: 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 20K
代理商: BYV10SERIES
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1992
1996 May 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BYV10 series
Schottky barrier diodes
fpage
M3D119
相關PDF資料
PDF描述
BYV10 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
BYV116BSERIES Very low drop voltage regulators with inhibit
BYV116 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:19 x 34; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
BYV116-20 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:19 x 34; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
BYV116-25 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:19 x 34; Jacket Color:Orange; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BYV10X-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:2V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 基本零件編號:* 標準包裝:1,000
BYV1100 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Fast soft-recovery rectifier
BYV116 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes Schottky barrier
BYV116-20 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes Schottky barrier
BYV116-25 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes Schottky barrier