參數(shù)資料
型號(hào): BYR29-500
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier diodes ultrafast
中文描述: 8 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 43K
代理商: BYR29-500
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast
BYR29 series
Fig.5. Maximum t
rr
at T
j
= 25C and 100C.
Fig.6. Maximum I
rrm
at T
j
= 25C and 100C.
Fig.7. Typical and maximum forward characteristic
I
F
= f(V
F
); parameter T
j
Fig.8. Maximum Q
s
at T
j
= 25C
Fig.9. Transient thermal impedance Z
th
= f(t
p
)
1
10
trr / ns
1
10
100
1000
100
dIF/dt (A/us)
1A
IF=10 A
Tj = 25 C
Tj = 100 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
BYR29
VF / V
IF / A
Tj = 25 C
Tj = 150 C
max
typ
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
Tj = 25 C
Tj = 100 C
1.0
10
100
-dIF/dt (A/us)
10
100
1000Qs / nC
2 A
IF = 10A
1us
10us
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
0.001
0.01
0.1
1
10
BYV29
pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
September 1998
3
Rev 1.300
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PDF描述
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參數(shù)描述
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