參數(shù)資料
型號: BYQ60EW-150
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier diodes ultrafast, rugged
中文描述: 30 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: BYQ60EW-150
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYQ60EW series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction to
mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
per diode
both diodes conducting
in free air
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
45
MAX.
0.85
0.6
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
characteristics arre per diode at T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
V
F
Forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 30 A; T
j
= 150C
I
F
= 30 A
I
F
= 60 A
V
R
= V
RWM
V
= V
; T
j
= 100 C
I
F
= 2 A; V
R
30 V; -dI
F
/dt = 20 A/
μ
s
I
= 1 A; V
30 V;
-dI
/dt = 100 A/
μ
s
I
F
= 1 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
0.73
0.95
1.07
10
1
10
27
MAX.
0.85
1.1
1.2
200
2
20
35
UNIT
V
V
V
μ
A
mA
nC
ns
I
R
Reverse current
Q
s
t
rr
Reverse recovery charge
Reverse recovery time
V
fr
Forward recovery voltage
-
0.7
-
V
December 1998
2
Rev 1.000
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