參數(shù)資料
型號(hào): BYQ40EW-200
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier diodes ultrafast, rugged
中文描述: 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 55K
代理商: BYQ40EW-200
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYQ40EW series
Fig.1. Definition of t
rr
, Q
s
and I
rrm
Fig.2. Definition of V
fr
Fig.3. Maximum forward dissipation P
= f(I
) per
diode; square current waveform where
I
F(AV)
=I
F(RMS)
x
D.
Fig.4. Maximum forward dissipation P
= f(I
)per
diode; sinusoidal current waveform where a = form
factor = I
F(RMS)
/ I
F(AV)
.
Fig.5. Typical t
rr
at T
j
= 25 C.
Fig.6. Typical I
rrm
at T
j
= 25 C.
Qs
100%
10%
time
dI
dt
F
IR
IF
Irrm
trr
BYQ40EW
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
5
10
15
20
Average forward current, IF(AV) (A)
Forward dissipation, PF (W)
Tmb(max) (C)
150
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
147.9
145.8
143.7
141.6
139.5
137.4
4
135.3
133.2
131.1
129
time
time
VF
Vfr
VF
IF
BYQ40EW
10
100
1000
1
10
100
dIF/dt (A/us)
trr / ns
IF = 1 A
BYQ40EW
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
Average forward current, IF(AV) (A)
Forward dissipation, PF (W)
Tmb(max) (C)
150
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
144.75
139.5
134.25
129
T
tp
D = tp/T
123.75
118.5
BYQ40EW
0.01
0.1
1
10
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
Irrm / A
IF = 1 A
December 1998
3
Rev 1.000
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