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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYQ30EB-200 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Rectifier diodes ultrafast, rugged |
| 中文描述： | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BYQ30EB-200 |
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
Fig.7. Maximum t
rr
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.8. Maximum I
rrm
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
I
F
= f(V
F
); parameter T
j
Fig.10. Maximum Q
s
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Z
th j-mb
= f(t
p
).
1
10
trr / ns
1
10
100
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
10
1.0
1.0
10
100
-dIF/dt (A/us)
Qs / nC
IF=10A
5A
1A
100
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
1us
10us
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
0.001
0.01
0.1
1
10
BYQ30E
pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
BYQ30
Forward voltage, VF (V)
Forward current, IF (A)
typ
max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
October 1998
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BYQ30ED-150 | Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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