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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYD12M |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Controlled avalanche rectifiers |
| 中文描述： | 0.82 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | BYD12M |
1998 Dec 03
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Controlled avalanche rectifiers
BYD12 series
GRAPHICAL DATA
a = 1.57; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
Device mounted as shown in Fig.6.
Fig.2
Maximum permissible average forward
current as a function of ambient temperature
(including losses due to reverse leakage).
handbook, halfpage
(A)
0
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
40
80
120
160
MDA808
Tamb (
°
C)
Solid line = V
R
.
Dotted line = V
RRM
;
δ
= 0.5.
Fig.3
Maximum permissible junction temperature
as a function of reverse voltage.
handbook, halfpage
Tj
( C)
0
D
G
J
K
M
400
800
1200
0
100
50
150
MGC736
VR, VRRM (V)
Solid line: T
j
= 25
°
C.
Dotted line: T
j
= 175
°
C.
Fig.4
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
(A)
0
0.5
1
VF (V)
2
0
8
1.5
6
4
2
MDA817
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature; typical values.
V
R
= V
RRMmax
.
handbook, halfpage
IR
(
μ
A)
200
0
40
80
120
160
2
10
1
10
1
10
2
MDA822
Tj (
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYD13SERIES | Controlled avalanche rectifiers |
| BYD13 | Controlled avalanche rectifiers |
| BYD13D | Controlled avalanche rectifiers |
| BYD13G | Controlled avalanche rectifiers |
| BYD13J | Controlled avalanche rectifiers |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BYD13 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Controlled avalanche rectifiers |
| BYD13D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD13DGP/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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