參數(shù)資料
型號(hào): BVSS123LT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 170mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 歐姆 @ 100mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): *
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 20pF @ 25V
功率 - 最大: 225mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 帶卷 (TR)