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參數(shù)資料
| 型號： | BUW13W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BUW13W |
1997 Aug 13
8
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW13W; BUW13AW
Fig.13 Test circuit inductive load.
V
CL
= 300 V; V
CC
= 30 V; V
BE
=
5 V; L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H.
handbook, halfpage
MGE246
+
IB
VBE
LB
LC
VCC
D.U.T.
VCL
Fig.14 Switching time waveforms with
inductive load.
handbook, halfpage
MGE238
tr
90%
10%
IB
IB on
IB off
IC on
90%
10%
IC
t
t
ts
toff
tf
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUW14 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
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| BUW22AP | Basic signal processor |
| BUW22P | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUW14 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW22 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BUW22A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BUW22AP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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