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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUV26A |
| 英文描述： | 8-bit MCU for automotive with Flash or ROM, 10-bit ADC, 5 timers, SPI, LINSCI", active CAN |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁|第14A一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | BUV26A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUV27A | 8-bit MCU for automotive with Flash or ROM, 10-bit ADC, 5 timers, SPI, LINSCI", active CAN |
| BUW89 | 4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier |
| BUW91 | VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATOR |
| BUW92 | ADVANCED VOLTAGE REGULATOR |
| BXA3-12S15 | Low voltage CMOS quad bus buffer (3-state) with 5 V tolerant inputs and outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUV26AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUV26F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUV26G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 90V 85W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUV27 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUV27_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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