參數(shù)資料
型號(hào)： BUV19
英文描述： 8-bit MCU with Flash or ROM, 10-bit ADC, 5 timers, SPI, 2x LINSCI"
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 50A條一（c）|至3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 393K
代理商： BUV19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUV21N 8-bit MCU for automotive with Flash or ROM, 10-bit ADC, 5 timers, SPI, LINSCI", active CAN
BUX32 Bipolar NPN Device
BUX32B Bipolar NPN Device
BUX30 Bipolar NPN Device
BUV21 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUV20 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUV20 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
BUV20/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
BUV20D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
BUV21 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40A 200V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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