參數(shù)資料
型號： BUT12AI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： BUT12AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI
STATIC CHARACTERISTICS
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
Collector cut-off current
1
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
= 9 V; I
= 0 A
I
= 0 A; I
C
= 100 mA;
L = 25 mH
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
1.0
3.0
UNIT
mA
mA
I
EBO
V
CEOsust
Emitter cut-off current
Collector-emitter sustaining voltage
-
-
-
10
-
mA
V
450
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
h
FE
h
FEsat
Collector-emitter saturation voltages I
C
= 5 A; I
B
= 0.86 A
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
-
-
-
-
1.5
1.3
35
35
12.5
V
V
I
C
= 5 A; I
= 0.86 A
I
C
= 10mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 1.0A; V
CE
= 5 V
I
C
= 5.0A; V
CE
= 1.5 V
10
14
5.8
18
20
10
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Switching times (resistive load)
t
on
Turn-on time
t
s
Turn-off storage time
t
f
Turn-off fall time
Switching times (inductive load)
CONDITIONS
I
Con
=5 A; I
Bon
= -I
Boff
= 1.0 A
TYP.
MAX.
UNIT
-
-
-
1.0
4.0
0.8
μ
s
μ
s
μ
s
I
= 5 A; I
= 1.0 A; L
B
= 1
μ
H;
-V
BB
= 5 V; T
j
= 100 C
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
1.9
150
2.5
300
μ
s
ns
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
300R
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
1
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
June 1997
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12F Silicon diffused power transistors
BUT12AF Silicon diffused power transistors
BUT12AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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BUT15 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
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參數(shù)描述
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BUT12ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12AX 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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BUT12F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
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