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參數(shù)資料
| 型號： | BUT12AF |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 英文描述： | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| 中文描述： | 擴散硅功率晶體管（一般）的說明 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | BUT12AF |
1997 Aug 13
1
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12F; BUT12AF
DESCRIPTION
High-voltage, high-speed,
glass-passivated NPN power
transistor in a SOT186 plastic
package.
APPLICATIONS
Converters
Inverters
Switching regulators
Motor control systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
mounting base; electrically isolated from all pins
mb
handbook, halfpage
MBK109
1 2 3
handbook, halfpage
3
2
1
MBB008
Fig.1 Simplified outline (SOT186) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT12F
BUT12AF
collector-emitter voltage
BUT12F
BUT12AF
collector-emitter saturation voltage
collector saturation current
BUT12F
BUT12AF
collector current (DC)
collector current (peak value)
total power dissipation
fall time
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
1.5
V
V
V
V
CEsat
I
Csat
see Figs 7 and 9
6
5
8
20
23
0.8
A
A
A
A
W
μ
s
I
C
I
CM
P
tot
t
f
see Figs 2 and 4
see Fig.2
T
h
≤
25
°
C; see Fig.3
resistive load; see Figs 11 and 12
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| BUT12AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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