參數(shù)資料
型號： BUT12
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BUT12
1997 Aug 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT12
BUT12A
collector-emitter voltage
BUT12
BUT12A
collector saturation current
BUT12
BUT12A
collector current (DC)
collector current (peak value)
base current (DC)
base current (peak value)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
V
V
I
Csat
65
6
5
8
20
4
6
125
+150
150
A
A
A
A
A
A
W
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
see Figs 3 and 4
see Fig. 4
T
mb
≤
25
°
C; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
Fig.3 Reverse bias SOAR.
V
BE
=
1 to
5 V; T
c
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
400
IC
(A)
1200
VCE (V)
0
MGB892
800
5
BUT12F
BUT12AF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12A Silicon diffused power transistors
BUT12 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT18AF Silicon diffused power transistors
BUT18 Silicon diffused power transistors
BUT18A Silicon diffused power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUT12A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT12AF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
BUT12AI 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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