參數(shù)資料
型號(hào)： BULD128DB1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： BULD128DB1
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.252
0.260
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
BULD1101ET4
6/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BULD138
BULD138-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251
BULD26
BULD26-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251
BULD38
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BULD128DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BULD138 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
BULD138-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251
BULD25 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE
BULD25D 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE
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