參數(shù)資料
型號(hào)： BULB39DT4
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 450V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至263AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： BULB39DT4
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.78
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwisespecified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V
T
j
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 9 V
100
I
C
= 100 mA
L = 25 mH
450
V
I
C
= 1 A
I
C
= 2.5 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.5 A
0.13
0.5
1.1
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A
I
C
= 2.5 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.5 A
1.1
1.3
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 5 A
I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V
4
10
V
CEW
Maximum Collector
Emitter Voltage
Without Snubber
I
C
= 6 A
V
BB
= -2.5 V
t
p
= 10
μ
s
I
C
= 2.5 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 300 V
I
C
= 2 A
R
BB
= 0
L = 50
μ
H
450
V
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
B(on)
= 0.5 A
R
BB
= 0
L = 1 mH
0.7
50
1.5
100
μ
s
ns
V
f
Diode Forward Voltage
1.5
V
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BULB39D
2/6
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PDF描述
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BULB7216 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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