參數(shù)資料
型號(hào)： BULB128
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 213K
代理商： BULB128
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
1.78
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V T
C
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
V
EBO
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
9
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
I
CEO
Collector Cut-Off
Current (I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 100 mA L = 25 mH
400
V
V
CE
= 400 V
250
μ
A
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
I
C
= 4 A I
B
= 1 A
0.5
0.7
1
1.5
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
1.1
1.2
1.3
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V
10
14
28
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 125 V I
C
= 2 A
I
B1
= 0.4 A I
B2
= -0.4 A
T
p
= 30
μ
s (see fig.2)
I
C
= 2 A I
B1
= 0.4 A
V
BE(off)
= -5 V R
BB
= 0
V
clamp
= 200 V
(see fig.1)
1.5
0.2
3
0.4
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
0.6
0.1
1
0.2
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BULB128-1
2/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BULB128D-BT4 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULB39DT4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-263AB
BULD1101E HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULD116D MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULD118-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BULB128-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
BULB128D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULB128D-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULB128D-BT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULB128DT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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