參數(shù)資料
型號(hào)： BUL903EDFP
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： BUL903EDFP
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
3.57
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off
Current (I
C
= 0)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(V
BE
= 0)
V
CE
= 900 V
100
μ
A
I
EBO
V
EB
= 7 V
100
μ
A
V
(BR)CES
I
C
= 100
μ
A
900
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10 mA L = 25 mH
400
V
I
C
= 0.5 A I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A I
B
= 0.15 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.4 A
I
C
= 0.5 A I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A I
B
= 0.15 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.4 A
0.5
1
1.5
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1
1.1
1.2
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 0.25 A V
CE
= 5 V
I
C
= 0.5 A V
CE
= 5 V
I
C
= 2.5 A V
CE
= 5 V
20
40
28
8
70
60
16
t
d
t
r
t
s
t
f
E
ar
RESISTIVE LOAD
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 125 V I
C
= 0.7 A
I
B1
= 50 mA I
B2
= 0.4 A
t
p
= 300
μ
s
(see figure 1)
0.2
1
0.8
0.25
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Repetitive Avalanche
Energy
V
CC
= 50V C = 1.8 nF
V
BE
= -5 V L = 2 mH
(see figure 2)
I
F
= 2 A
6
V
F
Parallel Diode Forward
Voltage
1.2
V
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BUL903EDFP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BULB39DT4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
BUL98 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg FAST SWITCH PNP Pwr TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL98A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NPN
BUL98B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NPN
BULB128 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULB128-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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