參數(shù)資料
型號(hào)： BUL70A
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 21K
代理商： BUL70A
BUL70A
LAB
SEME
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/97
Parameter
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CEO(sus)
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE*
V
CE(sat)*
V
BE(sat)*
f
t
C
ob
Collector – Emitter Sustaining Voltage
Collector – Base Breakdown Voltage
Emitter – Base Breakdown Voltage
Collector – Base Cut–Off Current
Collector – Emitter Cut–Off Current
Emitter Cut–Off Current
DC Current Gain
Collector – Emitter Saturation Voltage
Base – Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Output Capacitance
500
1000
10
10
100
100
10
100
20
9
5
30
15
8
0.05
0.15
0.3
0.8
0.9
0.1
0.2
0.5
1
1.1
20
20
V
μ
A
μ
A
μ
A
—
V
V
MHz
pF
I
C
= 10mA
I
C
= 1mA
I
E
= 1mA
V
CB
= 1000V
T
C
= 125°C
V
CE
= 500V
I
B
= 0
V
EB
= 9V
I
C
= 0
I
C
= 0.1A
I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
T
C
= 125°C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
T
C
= 125°C
I
B
= 20mA
I
B
= 0.1A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.1A
I
B
= 0.2A
I
C
= 100mA
I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
I
C
= 0.2A
V
CB
= 10V
V
CE
= 4V
f = 1MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tcase= 25°C unless otherwise stated)
* Pulse test t
p
= 300
μ
s ,
δ
< 2%
DYNAMIC CHARACTERISTICS
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PDF描述
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