參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9006-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor
中文描述： 125 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： BUK9006-55A
Philips Semiconductors
BUK9006-55A
TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 1 August 2003
2 of 10
9397 750 11571
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
3.
Limiting values
[1]
Calculated with R
th(j-mb)
= 0.59 K/W.
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
Min
-
-
-
Max
55
55
±
15
125
88
503
+175
+175
Unit
V
V
V
A
A
A
°
C
°
C
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
[1]
-
[1]
-
I
DM
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
DR
I
DRM
Avalanche ruggedness
E
DS(AL)S
peak drain current
storage temperature
junction temperature
-
55
55
reverse drain current (DC)
peak reverse drain current
T
mb
= 25
°
C
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
[1]
-
125
503
A
A
-
non-repetitive drain-source
avalanche energy
unclamped inductive load; I
D
= 25 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
;
starting T
j
= 25
°
C
-
1.1
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9620-100A TrenchMOS logic level FET
BUK9728-55A N-channel TrenchMOS standard level FET
BYV42EB-150 Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV42ESERIES 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
BYV42E-100 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1371; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9107-40ATC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK9107-40ATC /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9107-40ATC,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9107-55ATE 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
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