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參數(shù)資料
| 型號： | BUK637-600B |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的增強 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | BUK637-600B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK637-600C | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK637-400B | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800 | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800A | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800B | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK637-600C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK638-1000 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-1000A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-1000B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-500B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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