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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK555-100 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | PowerMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK555-100 |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
Logic level FET
BUK555-100A/B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.17. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
April 1993
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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