- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369549 > BUK454-200B (NXP SEMICONDUCTORS) PowerMOS transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK454-200B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 8.2 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BUK454-200B |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2522AX
Fig.13. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.15. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
Fig.16. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Mounted with heatsink compound.
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
BU2520AF
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
Ptot
ICM
ICDC
= 0.01
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
10
1
0.1
0.01
0.001
BU2522AF
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
September 1997
5
Rev 2.300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2522A | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2523AF | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK454-200B,127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUK454-400A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK454-400B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK454-450B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK454-500A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。