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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK436-800B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 3.5 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BUK436-800B |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK436W-800A/B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.15. SOT429 (TO247); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
February 1998
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BUK438-800A | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BUK436W-200A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK436W200B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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