參數(shù)資料
型號： BUK213-50Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： POWERLINE: RP20-S_D_TE - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Ul 1950 Component Recognised- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 86%
中文描述： 3.6 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO4
封裝： PLASTIC, SOT-426, D2PAK-5
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUK213-50Y
Philips Semiconductors
BUK208-50Y; BUK213-50Y
Single channel high-side TOPFET
Product data
Rev. 02 — 06 June 2002
10 of 16
9397 750 09384
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Table 9:
T
mb
= 25
°
C; f = 1 MHz; V
IG
= 0 V
Symbol
Parameter
C
ig
input capacitance
C
bl
output capacitance
C
sg
status capacitance
Capacitances
Conditions
V
BG
= 13 V
V
BL
= 13 V
V
SG
= 5 V
Min
-
-
-
Typ
15
130
11
Max
20
185
15
Unit
pF
pF
pF
V
BG
= 13 V; V
IG
= 5 V and T
j
= 25
°
C
Fig 13. Resistive switching waveforms and definitions.
Fig 12. Schematic drawing of the switching circuit.
Fig 14. Switching a large inductive load.
Fig 15. Low current detection waveforms.
03pa45
LL
VL
RL
VSG
VIG
RI
RS
P
VBG
0 V
0
03pa51
0 V
90%
VIG
VSG
VL
5 V
5 V
10%
ton
toff
dV/dton
dV/dtoff
0 V
0.7 V
0
03pa50
0 V
0 V
VIG
VSG
IL
VL
5 V
5 V
IL(LC)
EBL(CL)
0 V
0.7 V
0
03pa48
0 V
VIG
VSG
VL
5 V
5 V
td(lc)
toff
10%
90%
ton
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK215-50Y TOPFET high side switch SMD version of BUK210-50Y
BUK217-50YT TOPFET high side switch SMD version
BUK219-50Y PowerMOS transistor TOPFET high side switch
BUK416-1000AE TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 12.2A I(D)
BUK416-1000BE TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 10.9A I(D)
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參數(shù)描述
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BUK213-50Y,118 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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