參數(shù)資料
型號(hào)： BUK109-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： BUK109-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK109-50DL
Fig.2. Normalised power dissipation.
P
D
% = 100
P
D
/P
D
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.3. Normalised continuous drain current.
I
D
% = 100
I
D
/I
D
(25 C) = f(T
mb
); conditions: V
IS
= 5 V
Fig.4. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.5. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.6. Typical on-state characteristics, T
= 25 C.
ID = f(V
DS
); parameter V
IS
; t
p
= 2 ms
Fig.7. Typical on-state resistance, T
= 25 C.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
IS
; t
p
= 2 ms
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUK109-50DL
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
VDS / V
ID / A
BUK109-50DL
50
40
30
20
10
0
1
3
5
VIS / V =
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
1
100
VDS / V
ID & IDM / A
1000
100
10
1
DC
BUK109-50DL
10
RDS(ON)=VDSID
Overload protection characteristics not shown
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0
20
40
ID / A
RDS / mOhm
BUK109-50DL
120
100
80
60
40
20
0
VIS / V =
4.5
5
5.5
6
4
3.5
June 1996
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK109-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK111-50GL Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL
BUK112-50GL N-Channel Enhancement MOSFET
BUK113-50DL N-Channel Enhancement MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK109-50DL,118 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類(lèi)型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類(lèi)型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK109-50GL 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK109-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET
BUK110-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK110-50GL 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
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