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參數(shù)資料
| 型號： | BUK108-50DL |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| 中文描述： | PowerMOS晶體管邏輯電平TOPFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | BUK108-50DL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK108-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK108-50GS | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK108-50DL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50DL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50GL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK108-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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