參數(shù)資料
型號(hào)： BUK107-50DS
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET
中文描述： PowerMOS晶體管邏輯電平TOPFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
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代理商： BUK107-50DS
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PDF描述
BUK107-50GL N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK108-50GL N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50GS N-Channel Enhancement MOSFET
BUK109-50DL N-Channel Enhancement MOSFET
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參數(shù)描述
BUK107-50DST/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223
BUK107-50GL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK108-50DL /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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