參數(shù)資料
型號： BUJD203A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： BUJD203A
1.
Product profile
1.1 General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with
integrated anti-parallel E-C diode in a SOT78 (TO220AB) plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability
Integrated anti-parallel E-C diode
Very low switching and conduction
losses
1.3 Applications
DC-to-DC converters
Electronic lighting ballasts
Inverters
Motor control systems
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
Rev. 02 — 2 December 2010
Product data sheet
Quick reference data
Parameter
collector current
Conditions
see
Figure 1
; see
Figure 2
; DC;
see
Figure 4
see
Figure 3
; T
mb
≤
25 °C
Min
-
Typ
-
Max
4
Unit
A
P
tot
total power
dissipation
collector-emitter
peak voltage
-
-
80
W
V
CESM
V
BE
= 0 V
-
-
850
V
Static characteristics
h
FE
DC current gain
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V;
see
Figure 11
; T
j
= 25 °C
V
CE
= 5 V; I
C
= 3 A;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 11
I
B
= 0 A; L
C
= 25 mH;
I
C
= 10 mA; see
Figure 6
;
see
Figure 7
13
21
32
-
12.5
-
V
CEOsus
collector-emitter
sustaining voltage
400
450
-
V
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