參數(shù)資料
型號： BUH1015
廠商： 意法半導體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關晶體管（高電壓快速開關npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： BUH1015
THERMAL DATA
TO-218
ISOWATT218
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.78
1.8
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
T
j
= 125
o
C
0.2
2
mA
mA
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
V
EB
= 5 V
100
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
700
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
10
V
V
CE(sat)
I
C
= 10 A
I
B
= 2 A
1.5
V
V
BE(sat)
I
C
= 10 A
I
B
= 2 A
1.5
V
h
FE
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
T
j
= 100
o
C
7
5
10
14
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 400 V
I
B1
= 2 A
I
C
= 10 A
I
B2
= -6 A
1.5
110
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 10 A
I
B1
= 2 A
V
ceflyback
= 1200 sin
f = 31250 Hz
I
B2
= -6 A
π
510
6
t
V
4
220
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 6 A
I
B1
= 1 A
V
beoff
= - 2 V
V
ceflyback
= 1100 sin
f = 64 KHz
π
510
6
t
V
3.7
200
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea For TO-218
Safe OperatingArea For ISOWATT218
BUH1015/BUH1015HI
2/8
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BUH1215 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUH150 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH150/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor
BUH150G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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