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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUF654 |
| 英文描述： | Silicon NPN High Voltage Switching Transistor |
| 中文描述： | 硅npn型高壓開關(guān)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | BUF654 |
BUF654
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. D2, 18-Jul-97
5 (9)
Typical Characteristics
(T
case
= 25 C unless otherwise specified)
0
2
4
6
8
14
95 10572
0
100
200
300
400
I
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
600
500
10
12
0.1 x I
C
< I
B2
< 0.5 x I
C
V
CEsat
< 2 V
Figure 4. V
CEW
– Diagram
I
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
95 9747
0
2
4
6
8
10
10
8
6
4
2
0
C
T
j
= 25
°
C
I
B
= 1A
600 mA
400 mA
200 mA
100 mA
50 mA
Figure 5. I
C
vs. V
CE
h
I
C
– Collector Current (A)
94 9217
F
100
10
1
0.1
0.01
100
10
1
T
j
= 25
°
C
V
CE
= 10V
V
CE
= 5V
V
CE
= 2V
Figure 6. h
FE
vs. I
C
95 10509
0
25
50
75
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
P
t
T
case
(
°
C )
150
125
1.56 K/W
12.5 K/W
25 K/W
50 K/W
R
thJA
= 85 K/W
Figure 7. P
tot
vs.T
case
V
I
B
- Base Current (A)
95 9746
0.01
0.1
1
10
10
1
0.1
0.01
C
T
j
= 25
°
C
I
C
= 0.5A
2A
5A
8A
Figure 8. V
CEsat
vs. I
B
h
I
C
– Collector Current (A)
94 9206
F
100
10
1
0.1
0.01
100
10
1
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= –25
°
C
Figure 9. h
FE
vs. I
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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