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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU806AU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | BU806AU |
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BU806
3–250
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
200
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCBO, VBE = 0)
ICES
—
—
100
Adc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 6.0 Vdc)
ICEV
—
—
100
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
3.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5.0 Adc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat)
—
—
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5.0 Adc, IB = 50 mAdc)
VBE(sat)
—
—
2.4
Vdc
Emitter–Collector Diode Forward Voltage
(IF = 4.0 Adc)
VF
—
—
2.0
Vdc
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(Resistive Load, VCC = 100 Vdc,
ton
—
0.35
—
s
Storage Time
(Resistive Load, VCC = 100 Vdc,
IC = 5.0 Adc, IB1 = 50 mAdc,
I
500
Ad )
ts
—
0.55
—
s
Fall Time
IB2 = 500 mAdc)
tf
—
0.20
—
s
Crossover Time
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 50 mAdc, VBE(off) = 4.0 Vdc,
Vclamp = 200 Vdc, L = 500 H)
tc
—
0.40
1.0
s
(1) Pulse Test: Pulse Width
v 300 s, Duty Cycle v 1%.
600
0.2
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
30
0.3
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0
10
200
80
60
40
300
100
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
2.0
3.0
400
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
20
3.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
dc
10
s
10
5.0 ms
1.0 ms
100
200 300
0.1
60
TC = 25°C
Figure 2. Safe Operating Area (FBSOA)
non–repetitive
50 ms
BU806
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL43BBS | 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| BUL43BBU | 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| BUS-65143-883B | 2 CHANNEL(S), 1M bps, MIL-STD-1553 CONTROLLER, CQIP78 |
| BUS-65145-883B | 2 CHANNEL(S), 1M bps, MIL-STD-1553 CONTROLLER, DFP78 |
| BUS-65142-883B | 2 CHANNEL(S), 1M bps, MIL-STD-1553 CONTROLLER, CQIP78 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU806FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
| BU8-06-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS |
| BU807 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BU807FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 150V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
| BU807TU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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