參數(shù)資料
型號(hào)： BU52012HFV-TR
廠商： Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 1/22頁(yè)
文件大小： 505K
描述： IC HALL EFFECT SW MONO HVSOF5
特色產(chǎn)品： ROHM Hall Effect Sensor ICs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
傳感范圍： 5mT 跳閘，0.6mT 釋放
類(lèi)型： 單極開(kāi)關(guān)
電源電壓： 1.65 V ~ 3.3 V
電流 - 電源： 5.5µA
電流 - 輸出（最大）： ±0.5mA
輸出類(lèi)型： 數(shù)字，開(kāi)路集電極
特點(diǎn)： 穩(wěn)壓電壓
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： SOT-665
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 5-HVSOF
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng)： BU52012HFV-DKR
BU52012HFV-DKR-ND
BU52012HFVDKR
 
1/19
www.rohm.com
2010.08 - Rev.C
?2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Hall ICs
Unipolar Detection
Hall ICs
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
 
 
螪escription
The unipolar Detection Hall IC detects only either the N pole or S pole.
The output turns ON (active Low) upon detection.
 
螰eatures
   1)   Unipolar detection
   2)   Micropower operation (small current using intermittent operation method)
   3)   Ultra-compact CSP4 package (BU52002GUL, BU52003GUL)
   4)   Ultra- Small outline package (BU52012NVX)
   5)   Small outline package (BU52012HFV, BU52013HFV)
   6)   Line up of supply voltage
 
   For 1.8V Power supply voltage (BU52012NVX, BU52012HFV, BU52013HFV)
 
   For 3.0V Power supply voltage (BU52002GUL, BU52003GUL)
   7)   High ESD resistance 8kV(HBM)
 
螦pplications
Mobile phones, notebook computers, digital video camera, digital still camera, etc.
 
螸ineup matrix
 
Function   Product name
Supply
voltage
(V)
Operate
point
(mT)
Hysteresis
(mT)
Period
(ms)
Supply
current
(AVG.)
(礎(chǔ))
Output type
Package
S pole
BU52002GUL    2.40^3.30
3.7
;
 
0.8
50
6.5
CMOS
VCSP50L1
BU52012NVX    1.65^3.60
3.0
;
 
0.9
50
3.5
COMS
SSON004X1216
BU52012HFV     1.65^3.30
3.0
;
 
0.9
50
3.5
CMOS
HVSOF5
N pole
BU52003GUL    2.40^3.30     -3.7
;
 
0.8
50
6.5
CMOS
VCSP50L1
BU52013HFV     1.65^3.30     -3.0
;
 
0.9
50
3.5
CMOS
HVSOF5
;Plus is expressed on the S-pole; minus on the N-pole
 
 
 
 
 
No.10045ECT03
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