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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU508DX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BU508DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508DX
Fig.5. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
BU508AD
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
IC / A
VCESAT / V
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
BU508AD
0.1
1
10
0.1
1
10
IC = 4.5A
IC = 6A
IC = 3A
VCESAT/V
IB/A
0
1
2
3
4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC = 6A
IC = 4.5A
IC = 3A
IB / A
VBESAT / V
BU508AD
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
July 1998
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU522 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BU522A | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BU536 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
| BU546 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.3KV V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 |
| BU566-60A | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU508F | 制造商:CDIL 制造商全稱(chēng):Continental Device India Limited 功能描述:NPN POWER TRANSISTORS |
| BU508FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218 |
| BU-509 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU-50C | 功能描述:測(cè)試電夾 Meter Testing Copper RoHS:否 制造商:Pomona Electronics 類(lèi)型:Minigrabber clip 顏色:Black |
| BU-5100-4-BLK | 制造商:Mueller Electric Company 功能描述:Cable Assembly Hook-up Wire 20AWG BNC M |
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