參數(shù)資料
型號(hào)： BU508AF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor(NPN三層擴(kuò)散平面的硅晶體管)
中文描述： 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 576K
代理商： BU508AF
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
B
TO-3PF
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW = 300
μ
s, duty cycle = 1.5% Pulsed
Parameter
Value
1500
700
5
5
15
60
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 100mA, I
B
= 0
I
E
= 10mA, I
C
= 0
V
CE
= 1500V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A, I
B
= 2A
I
C
= 4.5A, I
B
= 2A
Min.
700
5
Typ.
Max.
Units
V
V
mA
mA
1
10
1
1.5
2.25
V
V
BU508AF
TV Horizontal Output Applications
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
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