型號(hào): | BU4S01G2-TR |
廠商: | Rohm Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): | 1/14頁(yè) |
文件大小: | 0K |
描述: | IC GATE NOR SGL 2INPUT SSOP5 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | 4S |
邏輯類型: | 或非門 |
電路數(shù): | 1 |
輸入數(shù): | 2 |
電源電壓: | 3 V ~ 16 V |
電流 - 靜態(tài)(最大值): | 1µA |
輸出電流高,低: | 3.4mA,3.4mA |
邏輯電平 - 低: | 1.5 V ~ 4 V |
邏輯電平 - 高: | 3.5 V ~ 11 V |
額定電壓和最大 CL 時(shí)的最大傳播延遲: | 30ns @ 15V,50pF |
工作溫度: | -40°C ~ 85°C |
安裝類型: | 表面貼裝 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 5-SSOP |
封裝/外殼: | 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱: | BU4S01G2-DKR BU4S01G2-DKR-ND BU4S01G2DKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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OSTVW041000 | TERM BLOCK RISING CLAMP 4POS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BU4S11G2 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:single 2 input NAND gates |
BU4S11G2-TR | 功能描述:邏輯門 IC NAND SGL 2INPUT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量(輸入/輸出):2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel |
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