參數(shù)資料
型號(hào)： BU4508DZ
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： BU4508DZ
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4508DZ
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.12. SOT186A; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10.3
max
3.2
3.0
4.6
max
2.9 max
2.8
seating
plane
6.4
15.8
max
0.6
2.5
2.54
5.08
1
2
3
3 max.
not tinned
3
0.5
2.5
0.9
0.7
M
0.4
15.8
max.
19
13.5
min.
Recesses (2x)
2.5
0.8 max. depth
1.0 (2x)
1.3
February 1999
5
Rev 1.000
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PDF描述
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